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Si3433CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.10
0.09
0.0 8
0.07
0.06
I D = - 5. 2 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.01
0.1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
1 s, 10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 68803
S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09
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